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        單根電容元件的tgQ值不得大于2％(溫度20℃，電壓10kV)。電容元件tgQ的大小直接影響快速熔斷器的絕緣性能相使用壽命。如果電容元件的tg6過大不但浪費(fèi)電能，在一些特定情況下有可能爆炸而造成惡性事故。福建省泉州供電局一臺(tái)Dw8—35型多種高壓熔斷器電容會(huì)管的介損達(dá)6.5％，在電流速斷動(dòng)作跳問的同時(shí)發(fā)生爆炸就是一個(gè)典型的事例．高壓穿墻套管因此每臺(tái)快速熔斷器出廠,投運(yùn)或檢修后都必須進(jìn)行元件的tgQ測(cè)量，達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)后才能出廠或通電遠(yuǎn)行。介質(zhì)損失率tgQ表示該絕緣材料在交流電場(chǎng)下能量損耗的一個(gè)參數(shù)，是外施正弦電壓與通過介質(zhì)的電流之間的相角的余角的正切。高壓負(fù)荷開關(guān)介質(zhì)損耗使流過電介質(zhì)的電流不再是超前于所加電壓90°的純電容電流(無功電流)，而具有—些有功電流(損耗的電流)。所以介質(zhì)損耗角正切就是介質(zhì)在交流電壓下電流的有功分量與無功分量之比。
        在交變電場(chǎng)下高壓限流熔斷器損耗可以分為兩部分：其一是介質(zhì)微弱的導(dǎo)電性產(chǎn)生的泄漏電流引起的能量損耗；其二是由電介質(zhì)內(nèi)部反復(fù)極化造成分子之間不斷“摩擦”引起的損耗，損耗引起介質(zhì)發(fā)熱，發(fā)熱又加速了介質(zhì)損耗。            

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