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 單根電容元件的tgQ值不得大于2％(溫度20℃，電壓10kV)。電容元件tgQ的大小直接影響快速熔斷器的絕緣性能相使用壽命。如果電容元件的tg6過大不但浪費電能，高壓穿墻套管在一些特定情況下有可能爆炸而造成惡性事故。福建省泉州供電局一臺Dw8—35型多種高壓熔斷器電容會管的介損達6.5％，在電流速斷動作跳問的同時發(fā)生爆炸就是一個典型的事例．因此每臺快速熔斷器出廠,投運或檢修后都必須進行元件的tgQ測量，達到標準后才能出廠或通電遠行。
介質(zhì)損失率tgQ表示該絕緣材料在交流電場下能量損耗的一個參數(shù)，高壓負荷開關(guān)是外施正弦電壓與通過介質(zhì)的電流之間的相角的余角的正切。介質(zhì)損耗使流過電介質(zhì)的電流不再是超前于所加電壓90°的純電容電流(無功電流)，而具有—些有功電流(損耗的電流)。跌落式熔斷器所以介質(zhì)損耗角正切就是介質(zhì)在交流電壓下電流的有功分量與無功分量之比。
     在交變電場下快速熔斷器損耗可以分為兩部分：其一是介質(zhì)微弱的導電性產(chǎn)生的泄漏電流引起的能量損耗；其二是由電介質(zhì)內(nèi)部反復極化造成分子之間不斷“摩擦”引起的損耗，損耗引起介質(zhì)發(fā)熱，發(fā)熱又加速了介質(zhì)損耗。但是在介質(zhì)絕緣強度穩(wěn)定的情況下，給介質(zhì)施加穩(wěn)定的正弦交流電壓時這個損耗是一個較穩(wěn)定的值tgQ表示。,
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